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2SD1163A中文资料

  • 大小:201.84KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 17/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC 2SD1163A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for TV horizontal deflection output applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 350 V Collector Emitter Voltage V CEO 150 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C 7 A Collector Peak Current I CP 10 A Collector Surge Current I C(surge) 20 A Power Dissipation (T c = 25 O C) P tot 40 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 5 V, I C = 5 A h FE 25 - - Collector Base Cutoff Current at V CB = 350 V I CBO - 5 mA Collector Emitter Breakdown Voltage at I C = 10 mA V (BR)CEO 150 - V Emitter Base Breakdown Voltage at I E = 10 mA V (BR)EBO 6 - V Collector Emitter Saturation Voltag

2SD1163A供应商

更新时间:2023-01-10 15:06:21
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